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測(cè)試的主要目標(biāo)是檢驗(yàn)半導(dǎo)體芯片的質(zhì)量是否達(dá)到一定標(biāo)準(zhǔn)，從而消除不良產(chǎn)品、并提高芯片的可靠性。另外，經(jīng)測(cè)試有缺陷的產(chǎn)品不會(huì)進(jìn)入封裝步驟，有助于節(jié)省成本和時(shí)間。電子管芯分選 (EDS) 就是一種針對(duì)晶圓的測(cè)試方法。

EDS是一種檢驗(yàn)晶圓狀態(tài)中各芯片的電氣特性并由此提升半導(dǎo)體良率的工藝。EDS可分為五步，具體如下 ：

01電氣參數(shù)監(jiān)控 (EPM)
EPM是半導(dǎo)體芯片測(cè)試的第一步。該步驟將對(duì)半導(dǎo)體集成電路需要用到的每個(gè)器件（包括晶體管、電容器和二極管）進(jìn)行測(cè)試，確保其電氣參數(shù)達(dá)標(biāo)。EPM的主要作用是提供測(cè)得的電氣特性數(shù)據(jù)，這些數(shù)據(jù)將被用于提高半導(dǎo)體制造工藝的效率和產(chǎn)品性能（并非檢測(cè)不良產(chǎn)品）。

02晶圓老化測(cè)試
半導(dǎo)體不良率來自兩個(gè)方面，即制造缺陷的比率（早期較高）和之后整個(gè)生命周期發(fā)生缺陷的比率。晶圓老化測(cè)試是指將晶圓置于一定的溫度和AC/DC電壓下進(jìn)行測(cè)試，由此找出其中可能在早期發(fā)生缺陷的產(chǎn)品，也就是說通過發(fā)現(xiàn)潛在缺陷來提升最終產(chǎn)品的可靠性。

03檢測(cè)
老化測(cè)試完成后就需要用探針卡將半導(dǎo)體芯片連接到測(cè)試裝置，之后就可以對(duì)晶圓進(jìn)行溫度、速度和運(yùn)動(dòng)測(cè)試以檢驗(yàn)相關(guān)半導(dǎo)體功能。具體測(cè)試步驟的說明請(qǐng)見表格。

04修補(bǔ)
修補(bǔ)是最重要的測(cè)試步驟，因?yàn)槟承┎涣夹酒强梢孕迯?fù)的，只需替換掉其中存在問題的元件即可。

05點(diǎn)墨
未能通過電氣測(cè)試的芯片已經(jīng)在之前幾個(gè)步驟中被分揀出來，但還需要加上標(biāo)記才能區(qū)分它們。過去我們需要用特殊墨水標(biāo)記有缺陷的芯片，保證它們用肉眼即可識(shí)別，如今則是由系統(tǒng)根據(jù)測(cè)試數(shù)據(jù)值自動(dòng)進(jìn)行分揀。

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